DDR
DDR

 层数 —— 4L  1+2+1

▪ 材料 —— HL832NSA

▪ 板厚 —— 0.24mm

▪ 内外层铜厚 —— 17 um

▪ 最小线宽/线距 —— 25/25 um

▪ 最小孔径 —— 50um

▪ 表面处理 —— Soft Gold (NPL Process)


DDR
RFIC
RFIC

 层数 —— 4L  1+2+1

▪ 材料 —— HL972LD

▪ 板厚 —— 0.32mm

▪ 内外层铜厚 —— 17 um

▪ 最小线宽/线距 —— 25/25 um

▪ 最小孔径 —— 50um

▪ 表面处理 —— Soft Gold (NPL Process)


RFIC
4L NPL PBGA
4L NPL PBGA

▪ 层数 —— 4L

▪ 材料 —— HL832NXA

▪ 板厚 —— 0.4mm

▪ 尺寸 —— 40*40 mm

▪ 内外层铜厚 —— 15 um

▪ 最小线宽/线距 —— 15/15 um

▪ 最小孔径 —— 50mm

▪ 表面处理 —— Soft Gold   NPL Process


4L NPL PBGA
4L EMMC
4L EMMC

▪ 层数 —— 4L

▪ 材料 —— MCL-E-705G

▪ 板厚 —— 0.2mm

▪ 内外层铜厚 —— 15 um

▪ 最小线宽/线距 —— 15/15 um

▪ 最小孔径 —— 50mm

▪ 表面处理 —— ENEPIG+OSP


4L EMMC
4L DDR 存储基板
4L DDR 存储基板

▪ 层数 —— 4L

▪ 材料 —— HL832NXA

▪ 板厚 —— 0.2mm

▪ 内外层铜厚 —— 15 um

▪ 最小线宽/线距 —— 15/15 um

▪ 最小孔径 —— 50mm

▪ 表面处理 —— ENEPIG


4L DDR 存储基板
4L RF 封装基板
4L RF 封装基板

▪ 层数 —— 4L

▪ 材料 —— MCL-E-705G

▪ 板厚 —— 0.24mm

▪ 尺寸 —— 5*5 mm

▪ 内外层铜厚 —— 15 um

▪ 最小线宽/线距 —— 15/15 um

▪ 最小孔径 ——  Cu post

▪ 表面处理 —— ENEPIG


4L RF 封装基板