LGA

 层数 —— 2L 

▪ 材料 —— HL832NXA

▪ 板厚 —— 0.15mm

▪ 内外层铜厚 —— 17 um

▪ 最小线宽/线距 —— 25/25 um

▪ 最小孔径 —— 75um

▪ 表面处理 —— ENEPIG


LGA
12层任意阶HDI

▪ 层数 —— 12层

▪ 材料 —— Nelco N4000-13SP

▪ 板厚 —— 2 mm

▪ 内外层铜厚 —— HOZ

▪ 最小线宽/线距 —— 2/2 mil

▪ 最小孔径 —— 0.1mm

▪ 表面处理 —— 沉金

▪ 应用领域 —— 通讯设备


12层任意阶HDI
玻璃基板

特点:

▪ 层数 —— 1 layer

▪ 材料 —— 高铝玻璃

▪ 板厚 —— 1.0 +/-0.005mm

▪ 线宽线距 —— 4/4mil

▪ 应用领域 —— 照明

▪ 高耐击穿电压 —— ≥15KV/mm

▪ 低CTE —— 约9.9ppm/K

▪ 低介电常数


玻璃基板
8L FCBGA

▪ 层数 —— 8L  3+2+3

▪ 材料 —— MCL-E-705G+ABF GL102

▪ 板厚 —— 0.76mm

▪ 尺寸 —— 30*30 mm

▪ 内外层铜厚 —— 17 um

▪ 最小线宽/线距 —— 10/10 um

▪ 最小孔径 —— 50um

▪ 表面处理 —— ENEPIG+IT+SOP


8L FCBGA
DDR

 层数 —— 4L  1+2+1

▪ 材料 —— HL832NSA

▪ 板厚 —— 0.24mm

▪ 内外层铜厚 —— 17 um

▪ 最小线宽/线距 —— 25/25 um

▪ 最小孔径 —— 50um

▪ 表面处理 —— Soft Gold (NPL Process)


DDR
三层软硬结合加磁性材料补强

▪ 层数 —— 3层

▪ 材料 —— R-F775

▪ 板厚 —— 0.15mm

▪ 内外层铜厚 —— 1OZ

▪ 最小线宽/线距 —— 1/1mil

▪ 最小孔径 —— 0.1mm

▪ 表面处理 —— 沉金

▪ 应用领域 —— 无线充电


三层软硬结合加磁性材料补强